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通过比表面积为15．5m^2·g^-1的Al4SiC4粉的氮化法制备得到了AIN—SiC纳米复合粉末。在1400℃或高于此温度下保温3h，氮化后的粉末中含有由富AIN和富SiC相组成的2H相。均匀固溶体的形成随氮化温度从1400℃升至1500℃而推进。1500℃保温3h氮化得到的AIN—SiC粉末的比表面积是19．5m^2·g^-1，而初晶(假定为球形颗粒)尺寸估计大约为100纳米。