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针对Si衬底上生长GaN具有的特有形貌进行了研究,分析采用扫描电镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)、原子力显微镜(AFM)等手段,研究了使用AlN作为缓冲层的GaN的生长模式、缺陷形成机理、应力释放机制.并且发现缓冲层厚度和外延层生长温度对裂纹和表面缺陷的形成有很大的影响.
采用AlN缓冲层在Si(111)衬底上生长GaN的形貌
【摘 要】
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针对Si衬底上生长GaN具有的特有形貌进行了研究,分析采用扫描电镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)、原子力显微镜(AFM)等手段,研究了使用AlN作为缓冲层的GaN的生长模式、缺陷形成机
【机 构】
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中国科学院半导体研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2007年z1期
【基金项目】
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中国科学院知识创新工程重要方向(批准号:KGCX2-SW-107-1),国家自然科学基金(批准号:60606002)和国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311903,2006CB604905,513270605)资助项目
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