论文部分内容阅读
基于流体动力学能量输运模型和幸运热载流子模型，用二维器件仿真软件Medici对深亚微米槽栅NMOSFET的结构参数，如沟道长度、槽栅凹槽拐角角度、漏源结深等，对器件抗热载流子特性的影响进行了模拟分析，并与常规平面器件的相应特性进行了比较.结果表明即使在深亚微米范围，槽栅器件也能很好地抑制热载流子效应，且其抗热载流子特性受凹槽拐角和沟道长度的影响较显著，同时对所得结果从内部物理机制上进行了分析解释.