Si表面吸附GaN的第一性原理研究

• 作 者: 李炜 陈俊芳 王腾 张洪宾 郭超峰
• 机 构: 华南师范大学物理与电信工程学院,华南师范大学计算机学院
• 出 处: 材料导报
• 发表日期: 2009年16期
• 关键词: SI GAN 吸附 第一性原理 Si GaN adsorption first-principle

为了更好地了解Si表面对GaN的吸附，利用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法，计算了Si（100）和Si（111）弛豫表面分别吸附CaN的电子结构、吸附能大小以及其态密度图。计算结果表明，相对于Si（111）表面，Si（100）表面更容易吸附GaN，在同等实验条件下，在Si（100）表面应更容易沉积GaN薄膜。采用ECR-MOPECVD工艺，于低温下在Si（100）衬底上沉积得到了GaN薄膜，XRD谱图表明该薄膜是一种晶体结构和无定形结构的混合结构。