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采用sol-gel法制备了具有Sr（Zr0.1Ti0.9）O3缓冲层的PbZr0.52Ti0.48O3（PZT）薄膜,研究了缓冲层厚度对样品结晶和性能的影响。结果表明,较薄缓冲层会诱导PZT薄膜的（111）择优取向,添加单层缓冲层（约20nm）使其（111）取向度提高到90%;较厚缓冲层会抑制PZT薄膜的（111）择优取向,添加四层缓冲层（约80nm）使其（111）取向度降低到9%;缓冲层厚度对样品电性能有显著影响,其剩余极化强度由无缓冲层时的26.8×10–6C/cm2增加到缓冲层厚度约为20