高纯度碳化硅晶体将引发电子业革命

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美国《自然》杂志报导:日本科学家开发出一种纯度极高的碳化硅晶体,以该晶体制成的半导体将大大提高电子设备的效率。在碳化硅多种结晶类型中,立方体单晶的电性能最佳。与硅相比,碳化硅的导电率高、抗辐射性好,并且可以在超高温度下发挥作用。如果用碳化硅制成半导体,可大大减少电子设备的内部消耗,提高电子设备的效率。 The United States, “Nature” magazine reported: Japanese scientists have developed a highly pure silicon carbide crystal, semiconductor made of the crystal will greatly improve the efficiency of electronic equipment. Among the various types of silicon carbide crystals, cubic single crystal has the best electrical properties. Compared with silicon, silicon carbide has high conductivity, good radiation resistance, and can work at ultra-high temperatures. If made of silicon carbide semiconductor, can greatly reduce the internal consumption of electronic devices, improve the efficiency of electronic devices.
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