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本文叙述了适用于轴对称强流电子光学系统各种磁结构的部分屏蔽流过渡区的设计方法。通过综合选取磁系统和电子枪参数,实现了磁系统与电子枪的最佳匹配,获得了屏蔽系数大于0.8,波动小于1％的电子注。
均匀磁场聚焦部分屏蔽流电子注的一种设计方法
【摘 要】
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本文叙述了适用于轴对称强流电子光学系统各种磁结构的部分屏蔽流过渡区的设计方法。通过综合选取磁系统和电子枪参数,实现了磁系统与电子枪的最佳匹配,获得了屏蔽系数大于0.8,波动小于1％的电子注。
【出 处】
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电子科学学刊
【发表日期】
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1983年01期
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