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使用带原位置加热装置的俄歇电子能谱仪研究了含残余Ｓｎ为０．０１３％的Ｆｅ－３％Ｓｉ单晶的（１１０）表面偏析。将该合金加热到约７００ｋ以上，Ｓｉ偏析发生用于氢离子溅射后的表面，偏析动力学的结果表明，通过用离子轰击产生的表面损伤增强了偏析过程，已发现在高温下Ｓｉ在表面上被Ｓｎ所取代，Ｓｎ的偏析过程为由基体内向表面的大量扩散所控制。Ｓｉ和Ｓｎ的表面偏析发生在次表层；在Ｓｎ偏析的同时，在Ｓｎ偏析层之下形成