【摘 要】
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随着电力电子技术的进步,开关电源越来越趋向于高频化和小型化。继硅和砷化镓之后出现的第三代半导体材料氮化镓(GaN)是一种宽禁带半导体材料,具有临界击穿电场大、电子迁移
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随着电力电子技术的进步,开关电源越来越趋向于高频化和小型化。继硅和砷化镓之后出现的第三代半导体材料氮化镓(GaN)是一种宽禁带半导体材料,具有临界击穿电场大、电子迁移率高及导热率高等特点。氮化镓晶体管适用于高频、高压、高温等场合。因此,使用氮化镓晶体管代替硅基MOSFET,设计了一款带有同步整流功能的硬开关半桥DC/DC电源模块,输入电压36~60 V,输出28 V/5 A,初级氮化镓晶体管开关频率400 kHz,输出纹波频率800 kHz。测试结果表明:使用氮化镓晶体管可以使DC/DC电源模块工作在较高
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