【摘 要】
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上海有色金属研究所研究成功的“直径76.2毫米吸杂硅片新工艺”已于1986年10月在九江通过鉴定。鉴定会由上海市科委委托上海有色总公司主持。该材料主要用于CMOS和TTL集成电
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上海有色金属研究所研究成功的“直径76.2毫米吸杂硅片新工艺”已于1986年10月在九江通过鉴定。鉴定会由上海市科委委托上海有色总公司主持。该材料主要用于CMOS和TTL集成电路,对于改善材料内在质量(如器件电参
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