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对Ｓ－枪溅射ＮｉＣｒ合金薄膜过程采用ＭｏｎｔｅｌＣａｒｌｏ法进行了计算模拟，用靶刻蚀图形作为粒子发射频度函数，采用Ｔｈｏｍｐｓｏｎ能量分布，并考虑了环境气体的热运动，得到沉积粒子的能量，入射角度的分布随溅射工艺参数的变化规律。
S—枪溅射NiCr薄膜的Monte Carlo模拟
【摘 要】
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对Ｓ－枪溅射ＮｉＣｒ合金薄膜过程采用ＭｏｎｔｅｌＣａｒｌｏ法进行了计算模拟，用靶刻蚀图形作为粒子发射频度函数，采用Ｔｈｏｍｐｓｏｎ能量分布，并考虑了环境气体的热运动，得到沉积粒子的能量，入射角度的分布随溅射工艺参数的变化
【机 构】
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福州大学电子科学与应用物理系
【出 处】
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福州大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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1998年1期
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