【摘 要】
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采用射频等离子增强化学气相沉积法制备出a-C∶H(N)类金刚石薄膜 ,用X射线光电子能谱、红外吸收谱和慢正电子湮灭谱研究了薄膜的结构 ,用弯曲法测定了薄膜的内应力 .随着混合
【机 构】
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华中科技大学塑性成型模拟及模具技术国家重点实验室,华中科技大学塑性成型模拟及模具技术国家重点实验室,华中科技大学塑性成型模拟及模具技术国家重点实验室,华中科技大学塑性成型模拟及模具技术国家重点实验室
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采用射频等离子增强化学气相沉积法制备出a-C∶H(N)类金刚石薄膜 ,用X射线光电子能谱、红外吸收谱和慢正电子湮灭谱研究了薄膜的结构 ,用弯曲法测定了薄膜的内应力 .随着混合气体中N2 的含量从 0增加到 75 % ,薄膜中含N量可增加到 9.0 9% (摩尔分数 ) ,N原子与C原子以%DC—N ,C N和C≡N键的形式结合 .薄膜中的缺陷密度随含N量而增加 ,而薄膜的内应力则随着薄膜中N含量的增加而单调降低
The films of aC:H (N) were prepared by radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition. The structures of the films were characterized by X-ray photoelectron spectroscopy, infrared absorption spectroscopy and slow positron annihilation spectroscopy. Stress.As the content of N2 in the mixed gas increases from 0 to 75%, the content of N in the film can be increased to 9.09% (molar fraction), and the N atom and the C atom with% DC-N, CN and C≡N bonds The defect density in the film increases with the amount of N, while the internal stress of the film monotonically decreases with the increase of the N content in the film
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