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用Ｅｖｅｎｓｏｎ腐蚀剂对ＣｄＺｎＴｅ晶体（１１１）Ｂ和（２１１）Ｂ面上的位错进行了腐蚀和观察，发现（１１１）Ｂ面上的腐蚀坑密度（ＥＰＤ）值明显高于（２１１）Ｂ面上的ＥＰＤ值，（１１１）Ｂ面上的ＥＰＤ值怀双晶衍射半峰宽有明显的依赖关系，（１１１）Ｂ面上的ＦＷＨＭ值随ＥＰＤ的增加而增加，而（２１１））Ｂ面上的ＥＰＤ则与材料的双晶衍射半峰宽无关。研究结果表明，用Ｅｖｅｒｓｏｎ腐蚀剂得到的ＥＰＤ参数依赖于