【摘 要】
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耐熔金属硅化物与掺杂多晶硅结合作为金属—氧化物—半导体(MOS)器件的栅电极和集成电路的内联线材料已成功的应用于超大规模集成电路(VLSI)技术中。一般对难熔金属硅化物如
【机 构】
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北京有色金属研究总院,北京有色金属研究总院,
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耐熔金属硅化物与掺杂多晶硅结合作为金属—氧化物—半导体(MOS)器件的栅电极和集成电路的内联线材料已成功的应用于超大规模集成电路(VLSI)技术中。一般对难熔金属硅化物如TiSi_2、TaSi_2、WSi_2等研究得较多,对NbSi_2研究得较少。本文用超高真空双枪电子束蒸发系统在多晶硅/SiO_2/Si和SiO_2/Si两种衬底上沉积
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