【摘 要】
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采用多量子阱掩埋条形(BRS)增益芯片和拉锥光纤布拉格光栅(FBG),制作了1.5μm波段FBG外腔式窄线宽半导体激光器。封装后器件实现了全电流范围内稳定单模窄线宽激光输出。30~2
【机 构】
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中国科学院半导体研究所材料重点实验室,中国科学院福建物质结构研究所,
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采用多量子阱掩埋条形(BRS)增益芯片和拉锥光纤布拉格光栅(FBG),制作了1.5μm波段FBG外腔式窄线宽半导体激光器。封装后器件实现了全电流范围内稳定单模窄线宽激光输出。30~250 m A驱动电流下线宽小于15.48 k Hz,实测最小线宽为6.42 k Hz,频率稳定度为7.2×10-8/s,边模抑制比大于40 d B,最大出纤功率大于10 m W。这种集成窄线宽激光器性能优异,且制作成本低,工艺简单,适于批量生产,可应用于400 Gb/s相干通信系统的发射源与接收机本振源。
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