As掺杂ZnO薄膜的光电子能谱研究

• 作 者: 管和松 李万成 高福斌 吴国光 夏小川 杜国同
• 机 构: 吉林大学集成光电子国家重点实验室,长春 130021
• 出 处: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
• 发表日期: 2008年10期
• 关键词: 氧化锌薄膜 砷掺杂 光电子能谱 金属有机化学气相沉积法 GaAs衬底

本文利用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在两种衬底上制备了As掺杂的ZnO(ZnO:As)薄膜,一种是生长在溅射了一层GaAs的Al2O3衬底上(ZnO:As:A),另一种是直接生长在GaAs衬底上(ZnO:As:G)。X射线光电子能谱(XPS)的研究发现,两种方式生长的ZnO薄膜中均有As的存在,紫外光电子能谱(UPS)的结果显示这两种方式生长的薄膜中均有受主AsZn-2VZn存在,从而说明采用这种方法有利于形成p型掺杂。