【摘 要】
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采用ＬＰ－ＭＯＶＰＥ方法及常规器件工艺制成了ＩｎＰ：Ｆｅ肖特基势垒增强ＩｎＧａＡｓ ＭＳＭ光电探测器，用自建测试系统对其直流和瞬态特性进行了测试，测试结果表明，器件的击穿电压大于１０Ｖ，２Ｖ偏压下暗电为１７０ｎＡ，对应的暗电流密度约为３ｍＡ／ｃｍ＾２；瞬
【机 构】
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中国科学院上海治金研究所微电子学分部
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采用ＬＰ－ＭＯＶＰＥ方法及常规器件工艺制成了ＩｎＰ：Ｆｅ肖特基势垒增强ＩｎＧａＡｓ ＭＳＭ光电探测器，用自建测试系统对其直流和瞬态特性进行了测试，测试结果表明，器件的击穿电压大于１０Ｖ，２Ｖ偏压下暗电为１７０ｎＡ，对应的暗电流密度约为３ｍＡ／ｃｍ＾２；瞬态响应中上时间ｔｒ为２１ｐｓ，半高宽ＦＷＨＭ为７５ｐｓ。
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