Negative differential resistance behavior in doped C82 molecular devices

• 作 者: 徐慧 贾姝婷 陈灵娜
• 机 构: SchoolofPhysicsScienceandTechnology,SchoolofComputerScienceandTechnology
• 出 处: 中南大学学报：英文版
• 发表日期: 2012年2期
• 关键词: 负微分电阻 分子器件 行为机制 电子输运性质 掺杂 格林函数方法 第一原理计算 非平衡 electronic transport properties neg
• 基金项目: Project（50721003） supported by the National Natural Science Foundation of China, Project（10Ci 171） supported by the ScientificResearch Fund of Hunan Provincial Education Department, China, Project（11J

由使用第一原则的计算和 nonequilibrium 格林功能方法， C82， C80BN 和 C80N2 构造的分子的设备的电子运输性质被学习。结果证明分子的设备的电子运输性质被做的原子影响。否定微分抵抗(NDR ) 行为能为 C82 和 C80BN 分子的设备在某些偏爱区域被观察，但是不能为 C80N2 分子的设备被观察。为否定微分抵抗行为的机制被建议。