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本发明介绍了一种利用半导体桥作为点火元件的电爆装置的制作方法。半导体桥通过一个与桥的延伸部分相连的、很小的低阻抗连接区、以及绝缘硅基片和由金属电极塞上的金镀层与硅所形成的共晶结合(eutectic bond)，与金属电极塞之间形成电连接。桥电路的第二个电极通过导线式连接区，连接到一个或两个导通管脚上，导通管脚穿透电极塞并通过包覆在管脚周围的玻璃与电极塞相互绝缘。在与电极塞绝缘的两个导通管脚和半导体桥的一个电极之间建立起来的冗余连接(redundant connection)，允许在装置组装完成后对线路连接