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据根金属－半导体－金属光电探测器内的能带结构以及热电子发射与扩散理论相结合的模型，导出了ＭＳＭ光电探测器暗电流的计算公式，并用数据计算方法了不同距离和不同掺杂浓度与暗电流的关系，为设计低暗电流ＭＳＭ光电探测器提供了依据。
GaAs MsM光电探测器暗电流特性
【摘 要】
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据根金属－半导体－金属光电探测器内的能带结构以及热电子发射与扩散理论相结合的模型，导出了ＭＳＭ光电探测器暗电流的计算公式，并用数据计算方法了不同距离和不同掺杂浓度与暗电流的关
【机 构】
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上海交通大学微电子所
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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1995年4期
【基金项目】
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国家自然科学基金,上海交通大学科技基金
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