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用低压金属有机物化学汽相沉积法（MOCVD）在Si（100）无偏角和Si（100）4°偏角衬底上外延生长GaAs层。异质外延采用两步生长法，并分别优化了两种衬底上的非晶低温缓冲层的生长条件。用X射线双晶衍射（XRD）和透射电子显微镜（TEM）对两种衬底上的GaAs外延层进行了结构表征，其中Si（100）4°偏角衬底上1．8μm厚GaAs的（004）面XRD衍射半高全宽338arcsec，同比在无偏角衬底上的半高全宽为494arcsec，TEM图片显示4°偏角衬底上外延层中的位