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在1200°、1250°、及1300℃恒温氮化2小时热重分析基础上,根据气固相反应动力学原理,分析了单晶硅高温氮化动力学,提出了三段论的氮化动力学模型即化学反应控速—混合控速—扩散控速。用该模型处理实验数据,得到了令人满意的相关系数,并求出了P型(111)单晶硅氮化表观活化能及1200℃～1300℃单晶硅氮化时各阶段速度常数k与温度T的经验关系式。