【摘 要】
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对于采用直接偶合的反射式高Q腔稳定固态振荡器,已发表了解析性结果。,但是,那里是假定二极管负电导G_d与交流振幅V的倒数成比例。本文用更为接近于实际情形的G_d表达式再次
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对于采用直接偶合的反射式高Q腔稳定固态振荡器,已发表了解析性结果。,但是,那里是假定二极管负电导G_d与交流振幅V的倒数成比例。本文用更为接近于实际情形的G_d表达式再次进行分析,并与实验相比较。 雪崩器件(IMPATT)的G_d值一般随交流振幅V的增大而成线性减小。至于耿器件的计算机模拟结果,如图1所示,表明了在输出功率最大点附近与直线关系相近
Analytical results have been published for direct-coupled, reflective, high-Q stable solid state oscillators. , But there it is assumed that the diode negative conductance G_d is proportional to the inverse of the amplitude AC. In this paper, the G_d expression, which is more close to the actual situation, is analyzed again and compared with the experiment. The G_d value of IMPATT generally decreases linearly with the increase of AC amplitude. As for the Geng device computer simulation results, shown in Figure 1, shows that the maximum output power near the line with a similar relationship
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