论文部分内容阅读
针对垂直转盘式MOCVD反应器生长AlN的化学反应-输运过程进行数值模拟研究，特别探讨了反应室高度、操作压强和加合物衍生的三聚物对AlN生长的化学反应路径的影响。研究结果表明，A1N在MOCVD生长中以Al（CH3）3和NH3的加合路径为主，Al（CH3）3的热解路径很弱；加合路径衍生的二聚物是薄膜生长的主要前体，三聚物是纳米粒子的主要前体；降低反应室高度，寄生反应减弱，热解路径加强，使生长速率增大；增大压强，寄生反应加剧，使生长速率下降；添加由三聚物参加的表面反应后，生长速率提高了近4倍，证明三聚物不参