高亮度LED芯片的反射型电流阻挡层设计与实现

• 作 者: 王洪 叶菲菲 黄华茂 姚若河
• 机 构: 华南理工大学理学院广东高校半导体照明工程研究中心,School of Materials Science & Engineering,Georgia Institute of Technology,
• 出 处: 光电子.激光
• 发表日期: 2012年06期
• 关键词: LED芯片 出光效率 电流扩散 电流阻挡层 分布式布拉格反射(DBR)

基于光学传输理论矩阵,设计制作SiO2和Ti3O5交替生长的分布式布拉格反射(DBR)结构作为LED芯片的电流阻挡层,并采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术在电流阻挡层处形成沟槽结构,以解决困扰LED器件效率提高的电流扩散及金属电极降低出光效率的问题。实验结果表明,采用这种结构的LED芯片能将亮度提高5%以上,而LED芯片的正向电压基本维持不变。这种反射型电流阻挡层结构能够很好地改善大尺寸LED芯片的电流扩散,有效地提高LED芯片的出光效率。