超晶格多层膜的电化学制备、表征及其GMR特性的研究

• 作 者: 姚素薇 赵瑾 王宏智 董大为
• 机 构: 天津大学化工学院
• 出 处: 物理化学学报
• 发表日期: 2003年10期
• 关键词: 超晶格 多层膜 电化学 制备 表征 GMR特性 巨磁电阻 Electrodeposition Superlattice Multilayer Giant

以半导体 Si为衬底 ,电化学沉积 Cu/Co超晶格多层膜 ,用 SEM表征多层膜的断面形貌.XRD研究表明 ,多层膜的调制波长为 20～ 160 nm时 ,膜层间发生外延生长.随着调制波长的减小 ,外延生长对膜层结构的影响越来越明显.当调制波长小于 20 nm时 ,在 XRD强衍射峰的两侧出现卫星峰 ,表明多层膜形成超晶格结构.根据卫星峰位置计算的调制波长与由法拉第定律估算的结果非常接近.多层膜的巨磁电阻 (GMR)性能随多层膜周期数的增加而增大 ;当周期数大于 300时 ,GMR性能基本上不再随周期数