【摘 要】
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$ 测量PN结的击穿电压时,往往迂到着测量时间延长而击穿电压坛加的现象,这无论在MOS器件还是在双极型器件中均存在,尤其在硅高反压器件中;其击穿电压坛长的值更为显著。图1
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$ 测量PN结的击穿电压时,往往迂到着测量时间延长而击穿电压坛加的现象,这无论在MOS器件还是在双极型器件中均存在,尤其在硅高反压器件中;其击穿电压坛长的值更为显著。图1为典型的PN结击穿蠕变(Walkout)现象。
When measuring the breakdown voltage of a PN junction, it often leads to the phenomenon that the measurement time is prolonged and the breakdown voltage is increased, which exists both in the MOS device and the bipolar device, especially in the silicon high back-pressure device. Breaking the voltage the longer the value of the more significant. Figure 1 shows a typical PN junction breakdown creep (Walkout) phenomenon.
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