【摘 要】
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硅平面型晶体管的发射极-基极处于反向过载偏置而发生雪崩效应后,将引起hFE衰退。浅结、重掺杂的超高频晶体管的hFE雪崩衰退现象更明显和严重。实验结果表明,hFE雪崩表退率随
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硅平面型晶体管的发射极-基极处于反向过载偏置而发生雪崩效应后,将引起hFE衰退。浅结、重掺杂的超高频晶体管的hFE雪崩衰退现象更明显和严重。实验结果表明,hFE雪崩表退率随反向过载偏置电流及过载时间的增加而增大;hFE雪崩衰退后的器件可以由高温老化和电功率老化而退火复原。因此,在此类器体的制造流程中的检测、成品测试以及应用中,都应避免发射极-基极处于反向过载偏置。在工艺筛选中,应加强高温老化和电功率老化,使器件的hFE退火复原。
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