不同类型碳化硅制备的BAS/SiC复合材料组织及力学性能的研究

• 作 者: 马静梅 宋健 安娜
• 机 构: 吉林师范大学物理学院
• 出 处: 吉林师范大学学报(自然科学版)
• 发表日期: 2015年4期
• 关键词: 硅铝酸钡 放电等离子烧结 显微结构 力学性能

采用放电等离子烧结（SPS）方法在1 800℃制备了不同类型碳化硅（Si C）的BAS/Si C陶瓷基复合材料.采用阿基米德排水法、XRD、SEM及三点弯曲等分析测试手段研究了复合材料的致密度、物相组成、显微结构及室温力学性能.实验结果表明,BAS能有效地促进复合材料的致密化.复合材料中没有发生β-Si C→α-Si C相的转变.Si C晶粒均匀地分散在连续的BAS晶相中,且与BAS之间结合紧密.与以α-Si C为原始粉体制备的复合材料的室温抗弯强度相比,β-Si C为原始粉体制备的复合材料的室温抗弯强度