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本文在国内首次采用自行设计的碳纤维束源炉及固态源ＭＢＥ技术生长了优质碳掺杂ＧａＡｓ，ＡｌＧａＡｓ及δ碳掺杂ＧａＡｓ外延层，获得了空穴浓度从４×１０＾１４ｃｍ＾－３到２×１０＾１９ｃｍ＾－３的ＧａＡｓ材料，用霍尔效应测量仪，电化学Ｃ－Ｖ剖面仪和Ｘ射线双晶衍射仪分析外延层的质量，用Ｎｏｍａｒｓｋｉ干涉显微镜和原子力显微镜分析了ＧａＡｓ的生长过程，结果表明碳是ＧａＡｓＩＩＩ－Ｖ族化合物半导体的极好的Ｐ型