基于硫化物表面处理的InP／GaAs低温晶片键合

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：shouquanwenjian

【摘要】

：

提出一种新的基于硫化物表面处理的InP／GaAs低温晶片键合技术．在360℃的退火温度下，获得了1．2MPa的键合强度．基于这种低温键合技术，可将外延生长在InP衬底上的In0.53Gao0.47As／InP多

【作者】

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黄辉王兴妍王琦陈斌黄永清任晓敏孙增辉钟源高俊

【机构】

：

北京邮电大学,中国科学院半导体研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2005年8期

【关键词】

：

晶片键合 GAAS INP 低温硫化物 wafer bonding InP GaAs low temperature sulfide

【基金项目】

：

国家自然科学基金重大项目（批准号：90201035）,国家高技术研究发展计划（批准号：2003AA312020）,国家重点基础研究发展计划（批准号：2003CB314902）资助项目

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提出一种新的基于硫化物表面处理的InP／GaAs低温晶片键合技术．在360℃的退火温度下，获得了1．2MPa的键合强度．基于这种低温键合技术，可将外延生长在InP衬底上的In0.53Gao0.47As／InP多量子阱（MQW）键合并转移到GaAs衬底上．X射线衍射表明量子阱的结构未受键合过程的影响．光致发光谱分析表明键合后量子阱的晶体质量略有改善．电流电压特性的测试表明n-InP／n-InP的键合界面具有良好的导电特性；在n-InP／n-GaAs的键合界面存在着电荷势垒，这主要是由于键合界面存在GaAs氧

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