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实验分别测量了Ti-Si0.84Ge0.16和Ti-Si系统在依次经历700℃及730～900℃两步退火后的方块电阻。对比结果表明，Ti的锗硅化物与Ti的硅化物具有不同的温度特性。造成这一差异的原因与Ge原子在高温下的行为有关。实验利用XRD，研究了Ti（SiGe）2从C49相到C54相的转变。物相分析结果显示，其相转变温度在760～800℃之间。结合实验结论，对采用Ti硅化物工艺的自对准SiGeHBT进行了退火温度的优化，其适合的高温退火温度为850℃左右。