拉制锑化铟单晶的新方法

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采用直拉方法制备锑化铟单晶,其原料为经过多次区域提纯的锑化铟多晶锭条,尽管其纯度很高,但仍然存在一些剩余的杂质,尤其在锭条的前部和后部杂质更多些。在拉晶之前还要经过许多工艺过程,如测试、切割、清洗、装炉等步骤、环境气氛、试剂和拉晶用品均会带进一些杂质,存在一定程度的沾污,按经验,一般可存在6×10~(13)~1×10~(14)cm~(-3)的沾污量,严 The indium antimonide single crystal is prepared by the Czochralski method. The raw material is an indium antimonide polycrystalline ingot purified by multiple regions. Although its purity is high, some residual impurities are still present, especially in front of the ingot and More impurities in the back. In the crystal before going through many processes, such as testing, cutting, cleaning, loading furnace and other steps, the atmosphere, reagents and crystal pulling supplies will bring some impurities, there is a certain degree of contamination, according to experience, generally There is a contamination amount of 6 × 10 ~ (13) ~ 1 × 10 ~ (14) cm ~ (-3)
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