Enhancement of light output powers of GaN-based light emitting diodes with textured indium tin oxide

• 作 者: LI Yun LI XiaoChan ZHANG Tao H
• 机 构: KeyLaboratoryofElectroluminescentDevicesofGuangdongProvincialEducationDepartment,CollegeofInformatio
• 出 处: 中国科学：物理学、力学、天文学英文版
• 发表日期: 2011年10期
• 关键词: 光输出功率 发光二极管 腐蚀性液体 铟锡氧化物 GaN 质感 透明层 外部量子效率 GaN-based light emitting diodes （LEDs）
• 基金项目: supported by the Natural Science Foundation of Guangdong Province, China （Grant Nos. 8251063101000007, 10151063101000009 and 9451063101002082）, the Scientific ＆ Technological Plan of Guangdong Provinc

为了支持光，输出射出二极管(LEDs ) 的基于陷阱的光的力量，二种新奇腐蚀剂液体在这份报纸被开发了变粗糙铟听氧化物(ITO ) 的表面 LEDs 的当前的传播层。作为结果，粗糙的透明 ITO 层极大地提高了 LEDs 的外部量效率。如果一件晶片样品在液体为仅仅大约 60 s 由我们开发了的一种腐蚀剂被蘸， LEDs 的轻输出力量能被 24.7% 支持，与常规基于陷阱的 LEDs 相比。介绍方法简单、快速、划算，是明显的。