【摘 要】
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近几年来,硅器件的发展极其迅速,它具有耐高温、反向电流小以及能采用平面技术使表面钝化,而得到稳定可靠的性能.平面技术和外延技术自1959年发展以来,很快地就用于制造硅平
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近几年来,硅器件的发展极其迅速,它具有耐高温、反向电流小以及能采用平面技术使表面钝化,而得到稳定可靠的性能.平面技术和外延技术自1959年发展以来,很快地就用于制造硅平面管、硅外延平面管和硅固体电路.现在,国外已发展到了较成熟的阶段.外延技术与平面技术结合制成的平面外延管对于制造开关器件比平面管具有更大的优越性,例如饱和压降小,反向击穿电压高,小电流增益大,开关速度快和功率较大等等.
In recent years, the rapid development of silicon devices, it has high temperature, reverse current is small and the use of planar technology allows the surface passivation, and get stable and reliable performance. Plane technology and epitaxial technology since its development in 1959, very fast The ground is used to manufacture silicon plane tube, silicon epitaxial flat tube and silicon solid-state circuit.Nowadays, foreign countries have developed to a more mature stage.Engineering technology and planar technology made of planar epitaxial tube for the manufacture of switching devices than flat tube has more Large advantages, such as small saturation voltage drop, high reverse breakdown voltage, small current gain, switching speed and power and so on.
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