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用原位插层反应法地制备了聚萘并恶嗪／蒙脱土纳米复合材料，采用X－ray衍射（XRD）及透射电镜（TEM）研究复合材料中蒙脱土硅酸盐片层间距，发现硅酸盐片层间距由1.26nm扩增至5.88nm以上，同时研究了该复合材料的耐热性，并探讨了复合材料的结晶行为。
聚萘并噁嗪/蒙脱土纳米复合材料的制备与表征
【摘 要】
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用原位插层反应法地制备了聚萘并恶嗪／蒙脱土纳米复合材料，采用X－ray衍射（XRD）及透射电镜（TEM）研究复合材料中蒙脱土硅酸盐片层间距，发现硅酸盐片层间距由1.26nm扩增至5.88nm以上，同时
【机 构】
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中国科学院化学研究所分子科学中心离子物理与化学国家重点实验室
【出 处】
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高分子学报
【发表日期】
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2002年2期
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