【摘 要】
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本文用由半导体激光器所产生的毫微秒和微微秒脉宽的激光脉冲驱动了由掺铁的磷化铟(Fe:InP)、掺铬的砷化镓(Cr:GaAs)和未掺杂的砷化镓(GsAs)光导开关,对上述三种材料的光导开
【机 构】
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美国俄勒冈研究生中心,美国俄勒冈研究生中心
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本文用由半导体激光器所产生的毫微秒和微微秒脉宽的激光脉冲驱动了由掺铁的磷化铟(Fe:InP)、掺铬的砷化镓(Cr:GaAs)和未掺杂的砷化镓(GsAs)光导开关,对上述三种材料的光导开关,通过实验和理论分析作了比较.
In this paper, laser pulses of nanosecond and picosecond pulse widths generated by a semiconductor laser are driven by a pulsed laser generated from an iron-doped indium phosphide (Fe: InP), a chromium-doped gallium arsenide (Cr: GaAs) Gallium Arsenide (GsAs) photoconductive switches, photoconductive switches for the above three materials, were compared by experimental and theoretical analysis.
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