【摘 要】
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本文设计了一款W波段单片低噪声放大器(LNA),采用100 nm In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As Ga As MHEMT(渐变组分高电子迁移率晶体管)工艺。该MMIC LNA采用4级放大电路结构,器
【机 构】
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电子科技大学极高频复杂系统国防重点学科实验室,南京电子器件研究所,
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本文设计了一款W波段单片低噪声放大器(LNA),采用100 nm In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As Ga As MHEMT(渐变组分高电子迁移率晶体管)工艺。该MMIC LNA采用4级放大电路结构,器件栅宽为2×20um,电路版图联合仿真结果表明该LNA在75-100GHz频带内,输入输出回波损耗均大于5d B,噪声系数小于5d B,增益大于17d B,带内增益平坦度小于1.5d B,W波段全频带内增益大于12d B。芯片面积为2.6mm×1.6mm。
In this paper, a W-band monolithic low noise amplifier (LNA) has been designed using a 100 nm In0.52Al0.48As / In0.53Ga0.47As Ga As MHEMT (Gradient Component High Electron Mobility Transistor) process. The MMIC LNA adopts a 4-stage amplifying circuit with a device gate width of 2 × 20um. The simulation results of the circuit layout show that the LNA has a return loss of more than 5d B in the 75-100GHz band, a noise figure of less than 5d B, a gain of Greater than 17d B, the in-band gain flatness is less than 1.5d B, and the gain in the entire W band is greater than 12d B. Chip area of 2.6mm × 1.6mm.
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