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设计了一种应用于MB-OFDM UWB射频频率综合器的工作于4 .224GHz的正交压控振荡器( QVCO) ,并采用0.18μm RF-CMOS工艺进行了设计实现.该QVCO通过改进结构能够得到更好的相位噪声.通过改变MOS变容管的接入方法实现了更好的压控增益线性度,并采用了新的低寄生电容、低导通电阻的数控电容阵列结构来补偿工艺变化带来的频率变化.测试结果表明,该QV-CO在4.224GHz附近的100kHz频偏处的相位噪声为-90.4dBc/Hz ,1 MHz频偏处的相位噪声为-116.7dBc/ H