IGBT器件的发展现状以及在智能电网中的应用

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以绝缘栅双极型晶体管(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)为代表的可关断半导体功率器件的成熟应用,推动了电力电子技术的又一次革新。首先介绍IGBT在智能电网中应用的重要性,对20多年来IGBT器件在芯片和封装等技术在国内外的发展水平进行回顾。重点分析IGBT的选型特点和在电网中的典型应用,最后分析在这些应用中使用IGBT器件所带来的深远影响。 Mature applications of turn-off semiconductor power devices, typified by insulated-gate bipolar transistors (IGBTs), have driven yet another revolution in power electronics technology. Firstly, the importance of IGBT application in smart grid is introduced. The development of IGBT devices in chips and packages at home and abroad are reviewed in more than 20 years. The focus is on the selection of IGBTs and their typical application in the grid. Finally, the far-reaching implications of the use of IGBT devices in these applications are analyzed.
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