【摘 要】
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对多孔硅的形成规律、微观结构作了系统的研究。采用ｎ－／ｎ＋／ｎ－掺杂结构工艺途径实现了硅岛宽度大于１００μｍ、硅膜单晶性好、硅膜厚度为２００ｎｍ到几μｍ范围的多孔氧化硅ＳＯＩ材料。用该材料研制的新型ＳＯＩ／半导
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对多孔硅的形成规律、微观结构作了系统的研究。采用ｎ－／ｎ＋／ｎ－掺杂结构工艺途径实现了硅岛宽度大于１００μｍ、硅膜单晶性好、硅膜厚度为２００ｎｍ到几μｍ范围的多孔氧化硅ＳＯＩ材料。用该材料研制的新型ＳＯＩ／半导体压力传感器具有灵敏度高、工作温度范围宽等特点。
The formation of porous silicon, microstructure made a systematic study. The porous silicon oxide SOI material with a silicon island width of more than 100 μm, good monocrystalline properties of the silicon film and a thickness of the silicon film of 200 nm to a few μm is realized by adopting an n- / n + / n- doped structure. With the material developed by the new SOI / semiconductor pressure sensor with high sensitivity, wide operating temperature range and so on.
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