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直接法—多次矩法联合计算高能离子注入化合物靶损伤分布
直接法—多次矩法联合计算高能离子注入化合物靶损伤分布
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jimzhan
【摘 要】
:
高能注入离子在固体中的损伤分布一般采用直接法计算.但是在化合物靶的情况下,各类靶反冲原子所淀积的损伤能及其分布矩难以正确估算,直接影响直接法的运用.本文引入多次矩法
【作 者】
:
江炳尧
杨根庆
【机 构】
:
中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室,中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室上海200050,上海200050,上海200050
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
1992年3期
【关键词】
:
离子注入
化合物
靶损伤
分布
计算
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高能注入离子在固体中的损伤分布一般采用直接法计算.但是在化合物靶的情况下,各类靶反冲原子所淀积的损伤能及其分布矩难以正确估算,直接影响直接法的运用.本文引入多次矩法予以解决,取得了良好的效果.
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