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利用基于密度泛函理论的第一性原理超软赝势平面方法研究了外界压强对LiNbO3晶体态密度，能带结构，电荷密度以及光学性质的影响。能带结构计算表明，价带顶主要由O-2p和Nb-4d态电子贡献，导带底主要由Nb-4d态电子贡献，且带隙随着压强的增加而线性增大。利用复介电函数计算了LiN-bO3晶体在不同压强下光学性质的折射率、反射率、吸收函数，能量损失函数以及光电导率。研究发现：外界压强大于10 GPa时，静态折射率保持不变，随外界压强的增加，反射率、吸收函数以及光电导率区间有一定程度的拓宽，损失函数峰发生“蓝移”。研究表明，外界高压可以有效调控LiNbO3晶体的电子结构和光学性质，为LiNbO3晶体的高压应用提供了有益的理论依据。