氢氧化镍电极材料的层错结构表征

• 作 者: 王超群 王宁 李娜娜 张久兴
• 机 构: 北京有色金属研究总院,北京,100088;北京工业大学,材料科,学与工程学院,北京,100022;中南大学,材料科学与工程系,长沙,410083
• 出 处: 中国有色金属学报
• 发表日期: 2004年期
• 关键词: 氢氧化镍 电极材料 层错率 放电容量

根据氢氧化镍电极材料的X射线衍射谱线的各向异性宽化特性, 提出层错结构表征方法. 采用层错宽化效应的Warren法和Lan gford谱分解法, 测算了一些镍电极材料的层错率. 结果发现层错率与材料的放电容量存在对应关系, 放电容量较高(270 mA*h/g)的材料层错率达14.9%, 而放电容量较低(207 mA*h/g)的材料层错率为7.6%.因此可以用层错率表征氢氧化镍电极材料的电化学性能.