在半绝缘SiC衬底上制备的S波段2W碳化硅MESFET

• 作 者: 蔡树军 潘宏菽 陈昊 李亮 赵正平
• 机 构: 河北半导体研究所
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2006年2期
• 关键词: 碳化硅 微波 功率 MESFET MESFET SiC buffer layer

介绍了用热壁反应炉在50mmSiC半绝缘衬底上制备的SiCMESFET外延材料．其沟道层厚度约为0．35μm，掺杂浓度约为1．7×10^17cm^-3．沟道和衬底之间的缓冲层为非有意掺杂的弱n型．欧姆接触用的帽层掺杂浓度约10^19cm^-3．器件制备采用了ICP刻蚀等技术．微波测试结果表明，1mm栅宽功率器件封装后在2GHz下输出功率达到了2W．