论文部分内容阅读
介绍了一种兼有功率晶体管低导通压降和高额定电压特点以及功率MOSFET高开关速率特点的新型器件发射极开关双极型晶体管ESBT的结构，同时详细的阐述了这种新型器件的工作原理。还介绍了这种器件的驱动方法和专门针对三相不解耦PFC应用的驱动芯片以及电路设计的过程。实验表明：驱动芯片能够自动调整存储时间的长度从而保证ESBT在不同的负载条件下都处于优化的工作状态。