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本文研究了一种新的、具有实际应用价值的硅片吸除技术。该技术包括利用ＰＥＣＶＤ法在腐蚀硅片背面沉积４００￣８００ｎｍ厚的非晶硅膜，再经过６５０￣６８０℃温度的热处理，使沉积膜与硅片结合更牢固，之后，把硅片进行抛光。结果表明，该技术能有效地消除硅抛光片表面的雾缺陷，同时硅片表面层少子寿命可提高２￣４倍。