国际半导体技术发展路线图2008年更新版综述（六）

• 作 者: 王洪波（译）
• 出 处: 中国集成电路
• 发表日期: 2009年11期
• 关键词: 半导体技术 路线图 计量技术 综述 国际 光刻工艺 图形生成 技术需求

3．14计量 在2008年，计量技术工作组专注于对光刻计量和前端工艺计量技术需求的更新。新的光刻工艺，例如二次图形生成、隔离层二次图形生成（spacer double patterning），以及二次曝光，都给计量带来了相当困难的挑战。计量技术工作组和光刻技术工作组一起努力，评估了图1所显示的计量技术需求的现状。所有形式的二次图形生成都导致关键尺寸和边墙角度的两种分布。