高功率脉冲离子束的产生

• 作 者: 石磊 王永昌 邱爱慈 何小平 张嘉生 蒯斌 曾正中
• 机 构: 西安交通大学!西北核技术研究所，西安市６９号信箱１３分箱，７１００２４西安，７１００４９,西安交通大学!西安，７１００４９,西北核技术研究所!西安市６９号信箱１３分箱，７１００２４,西北核技术研究所!
• 出 处: 强激光与粒子束
• 发表日期: 1999年06期
• 关键词: 功率脉冲 离子束产生效率 箍缩 阳极材料 离子流 阴极表面 工作原理 虚阴极 渡越时间 相对论效应

分析了高功率二极管中的双向流以及提高离子流产生效率的反射三极管、磁绝缘二极管和箍缩二极管工作原理，概述了高功率脉冲离子束研究进展及发展方向。

The principle of bi-directional flow in high-power diode and the principle of reflective transistor, magnetically insulated diode and pinch diode for improving the efficiency of ion current are analyzed. The research progress and development direction of high-power pulsed ion beam are summarized.