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本文利用沟道背散射分析技术、剖面透射电子显微镜（XTEM）等对150keV As<sup>+</sup>沿〈100〉沟道方向注入硅的基本特征和临界条件进行了分析测试.剂量达到1×10<sup>14</sup>/cm<sup>2</sup>时,浅注入区（0-0.2μm）晶格损伤严重,导致沟道注入效应基本消失.沟道深注入区（0.2-0.6μm）形成均匀的轻度损伤.常规退火后,沟道深注入区内的载流子浓度一般不超过2×10